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DS28E80Q+T

Name: Analog Devices Inc. DS28E80Q+T
Brand: Analog Devices / Maxim Integrated
SKU: 700-DS28E80Q+T
Price: 2.49 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

700-DS28E80Q+T

Herst.- Nr.:

DS28E80Q+T

Herst.:

Analog Devices / Maxim Integrated

Beschreibung:

EEPROM 2KB RAD TOL 1-W FTP MEM TDFN T&R

Datenblatt:

DS28E80Q+T Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,49	€ 2,49
	€ 2,25	€ 22,50
	€ 2,20	€ 55,00
	€ 2,14	€ 107,00
	€ 2,09	€ 209,00
	€ 2,02	€ 505,00
	€ 1,98	€ 990,00
	€ 1,96	€ 1 960,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 1,87	€ 4 675,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Analog Devices Inc.
Produktkategorie:	EEPROM
RoHS:
Speichergröße:	2 kbit
Schnittstellen-Typ:	1-Wire
Organisation:	256 x 8
Verpackung/Gehäuse:	TDFN-6
Versorgungsspannung - Min.:	2.97 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.63 V
Montageart:	SMD/SMT
Datenspeicherung:	10 Year
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	DS28E80
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Max. aktiver Lesestrom:	12 mA
Marke:	Analog Devices / Maxim Integrated
Betriebsversorgungsspannung:	3.3 V
Produkt-Typ:	EEPROM
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	12 mA
Gewicht pro Stück:	50 mg

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Datenblatt

DS28E80Q+T Datenblatt (PDF)

Application Notes

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8542327500
CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DS28E80 1-Wire-Speicherchip

Der Maxim DS28E80 ist ein benutzerprogrammierbarer, nichtflüchtiger Speicherchip. Im Gegensatz zu flüchtigen Speicherzellen, verwendet der DS28E80 eine Speicherzellentechnologie, die gegen Gammastrahlung beständig ist. Er verfügt über 248-Bytes Arbeitsspeicher, der in Speicherbausteinen zu 8-Bytes aufgeteilt ist. Einzelne Speicherblöcke können schreibgeschützt werden. Jeder Speicherblock kann 8 Mal beschrieben werden. Der DS28E80 kommuniziert über den Einzelkontakt-1-Wire®-Bus bei Standard- oder Overdrive-Geschwindigkeit. Jedes Gerät verfügt über seine eigene und unveränderbare 64-Bit-Registriernummer, die im Werk auf den Chip programmiert wird. Die Kommunikation folgt dem 1-Wire-Protokoll mit einer 64-Bit-Registriernummer, die im Falle eines 1-Wire-Netzwerks mit mehreren Geräten als Knotenadresse fungiert.
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