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RQ3L060BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L060BGTB1
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ3L060BGTB1

Herst.- Nr.:

RQ3L060BGTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 N-CH 60V 15.5A

Datenblatt:

RQ3L060BGTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 1,14	€ 1,14
	€ 0,739	€ 7,39
	€ 0,504	€ 50,40
	€ 0,43	€ 215,00
	€ 0,392	€ 392,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,352	€ 1.056,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	38 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	5.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	14 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.3 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.4 ns

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RQ3L060BGTB1 Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3L060BG Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor RQ3L060BG Leistungs-MOSFET von verfügt über eine Drain-Quellspannung (V_DSS) von 60 V und einen Dauersenkenstrom von ±15,5 A. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen ON-Widerstand (R_DS(on)) von 38 mΩ und eine Verlustleistung von 14 W. Der RQ3L060BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55°C bis 150°C betrieben und ist in einem halogenfreien, leistungsstarken kleinen Formgehäuse (HSMT8) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauteil enthält eine bleifreie Beschichtung. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltung, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.