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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 8.37 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT65R65AL

Herst.- Nr.:

SGT65R65AL

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT65R65AL Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 8,37	€ 8,37
	€ 5,79	€ 57,90
	€ 4,71	€ 471,00
	€ 4,68	€ 2 340,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 4,06	€ 12 180,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	65 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	+ 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Qg - Gate-Ladung:	5.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	305 W
Marke:	STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-Si
Transistorart:	E-Mode
Typ:	RF Power MOSFET
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Datenblatt

SGT65R65AL Datenblatt (PDF)

Application Notes

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistor

STMicroelectronics SGT65R65AL e-Modus PowerGaN-Transistoren sind Transistoren mit 650 V, 25 A und einer bewährten Gehäusetechnologie. Der SGT65R65AL von STMicroelectronics umfasst ein G-HEMT-Bauteil, das extrem niedrige Leitungsverluste, eine hohe Strombelastbarkeit und einen extrem schnellen Schaltbetrieb bietet. Das Bauteil kann eine hohe Leistungsdichte und unschlagbare Effizienzleistungen ermöglichen.