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IXFH34N65X2W

Name: IXYS IXFH34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X2W
Price: 7.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXFH34N65X2W

Herst.- Nr.:

IXFH34N65X2W

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IXFH34N65X2W Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	34 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	540 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	HiPerFET
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	18 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	52 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	38 ns

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Datenblatt

IXFH34N65X2W Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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