Q-DPAK Vollbrücken-Evaluierungsboard V2.1

Das Vollbrücken-Evaluierungsboard der Generation 2.1 von Infineon im Q-DPAK-Gehäuse demonstriert die optimale Nutzung der SiC-Leistungs-MOSFETs CoolSiC™ der zweiten Generation in Q-DPAK-Gehäusen. Das Evaluierungsboard ist für schnelles Schalten und nicht für die Evaluierung von Schaltverlusten optimiert. Das Vollbrücken-Evaluierungsboard der Generation 2.1 von Infineon im Q-DPAK-Gehäuse ist für Einzelimpulse und nicht für kontinuierliches Schalten ausgelegt. Die Platine enthält vier CoolSiC-Schalter mit 750 V in einer Vollbrückenanordnung, die entsprechenden Gatetreiber von Infineon, kleine DC-DC-Wandler zur Bereitstellung isolierter Spannungen für jeden Bereich sowie passive Bauteile zur Unterstützung der Gleichstromzwischenkreise und zur Beendigung der Leistungs-Schleifen.