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RTF016N05FRATL

Name: ROHM Semiconductor RTF016N05FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RTF016N05FRATL
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RTF016N05FRATL

Herst.- Nr.:

RTF016N05FRATL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

RTF016N05FRATL Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 0,406	€ 4,06
	€ 0,30	€ 30,00
	€ 0,255	€ 127,50
	€ 0,23	€ 230,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,166	€ 498,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323T-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	45 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	2.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	800 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	RTF016N05FRA

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RTF016N05FRATL Datenblatt

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Test/Quality Data

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

RTF016N05FRA Kleinsignal-MOSFET

Der RTF016N05FRA Kleinsignal-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen On-Widerstand, eine integrierte G-S-Schutzdiode und eine bleifreie Leitungsbeschichtung. Dieser MOSFET ist im kleinen oberflächenmontierbaren TUMT3-Gehäuse erhältlich und ist AEC-Q101-qualifiziert. Der RTF016N05FRA-MOSFET bietet 45 V Drain-Source-Spannung, ±1,6 A kontinuierlichen Drain-Strom und ±6,4 A gepulsten Drain-Strom. Dieser MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und im Lagertemperaturbereich. Der Signal-MOSFET RTF016N05FRA ist ideal für den Einsatz im Schaltbereich.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.