RTF016N05FRATL

ROHM Semiconductor
755-RTF016N05FRATL
RTF016N05FRATL

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs AECQ

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323T-3
N-Channel
1 Channel
45 V
1.6 A
190 mOhms
- 12 V, 12 V
1.5 V
2.3 nC
- 55 C
+ 150 C
800 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 14 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Artikel # Aliases: RTF016N05FRA
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Datenblatt

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Test/Quality Data

Konformitätscodes
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100VDSS to 100VDSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and RDS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

RTF016N05FRA Kleinsignal-MOSFET

Der RTF016N05FRA Kleinsignal-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen On-Widerstand, eine integrierte G-S-Schutzdiode und eine bleifreie Leitungsbeschichtung. Dieser MOSFET ist im kleinen oberflächenmontierbaren TUMT3-Gehäuse erhältlich und ist AEC-Q101-qualifiziert. Der RTF016N05FRA-MOSFET bietet 45 V Drain-Source-Spannung, ±1,6 A kontinuierlichen Drain-Strom und ±6,4 A gepulsten Drain-Strom. Dieser MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und im Lagertemperaturbereich. Der Signal-MOSFET RTF016N05FRA ist ideal für den Einsatz im Schaltbereich.

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