NVH4L050N170M1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi NVH4L050N170M1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs liefern eine außergewöhnliche Leistung mit einem typischen RDS(on) von 53 mΩ bei VGS = 20 V. Die NVH4L050N170M1 MOSFETs von onsemi sind für einen 20-V-Gate-Drive optimiert. Die Bauteile funktionieren auch effektiv mit einem 18-V- Gate-Drive, der sich durch eine negative Gate-Spannung und reduzierte Abschaltspitzen auszeichnet. Diese Bauteile bieten eine extrem niedrige Gesamt-Gate-Ladung (105 nC), schnelle Schaltvorgänge mit geringer Kapazität (Coss = 98 pF) und 100-%-Avalanche-Tests für Zuverlässigkeit.

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