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TF412T5G

Name: onsemi TF412T5G
Brand: onsemi
SKU: 863-TF412T5G
Price: 0.47 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-TF412T5G

Herst.- Nr.:

TF412T5G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs NCH J-FET SOT-883

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TF412T5G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 0,473	€ 0,47
	€ 0,293	€ 2,93
	€ 0,193	€ 19,30
	€ 0,14	€ 70,00
	€ 0,126	€ 126,00
	€ 0,113	€ 282,50
	€ 0,10	€ 500,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 8000)
	€ 0,09	€ 720,00
	€ 0,081	€ 1 944,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-883-3
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	- 30 V
Abschaltungsspannung Gate-Source:	- 600 mV
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	3 mA
Id - Drain-Gleichstrom:	10 mA
Serie:	TF412
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	8000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

TF412T5G Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

TF412 n-Kanal-JFET

Der onsemi TF412 n-Kanal-JFET wurde für Niederfrequenz-Universalverstärker und Impedanzwandler-Applikationen konzipiert. Der TF412 von onsemi wird mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von 10 mA, mit einem beeindruckend kleinen Eingangs-Gate-Source-Ableitstrom (I_GSS) von -1,0 nA (V_GS = -20 V, V_DS = 0 V) und einer typischen Eingangskapazität (C_iss) von 4 pF (V_DS = 10 V, V_GS = 0 V, f = 1 MHz). Dieser JFET von onsemi ist in einem ultra-kleinen SOT-883-Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm × 0,4 mm) untergebracht und unterstützt die Produktminiaturisierung. Er entspricht den halogenfreien Umweltstandards und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für kompakte und umweltfreundliche Designs.