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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
Datenblatt
668Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
Datenblatt
508Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
Datenblatt
5 400Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Datenblatt
946Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A
Datenblatt
1 190Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
Datenblatt
375Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
Datenblatt
520Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 53 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
Datenblatt
2 058Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
Datenblatt
857Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD
Datenblatt
169Auf Lager
600erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
Datenblatt
107Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
Datenblatt
835Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 37 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 450 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement FDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 80.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube