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FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 5.85 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDB0250N807L

Herst.- Nr.:

FDB0250N807L

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Datenblatt:

FDB0250N807L Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,85	€ 5,85
	€ 3,94	€ 39,40
	€ 2,85	€ 285,00
	€ 2,57	€ 1.285,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	€ 2,57	€ 2.056,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	240 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	143 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	214 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	39 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	113 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	64 ns
Serie:	FDB0250N807L
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	79 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	1,600 g

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Datenblatt

FDB0250N807L Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Der onsemi FDB0250N807L n-Kanal-MOSFET nutzt das fortschrittliche PowerTrench^®-Verfahren zur Reduzierung des Einschaltwiderstands. Dieses Verfahren bietet eine überlegene Robustheit und Schaltleistung für industrielle Applikationen. Die Merkmale umfassen schnelle Schaltgeschwindigkeit, niedrige Gatter-Ladung sowie hohe Leistungs- und Stromverarbeitungskapazität. Der FDB0250N807L MOSFET wird bei industriellen Motorenantrieben, Netzteilen, batteriebetriebenen Werkzeugen, Lastschaltern, USV und Energie-Wechselrichtern eingesetzt.