FDB0250N807L

onsemi
512-FDB0250N807L
FDB0250N807L

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
80 V
240 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
143 nC
- 55 C
+ 150 C
214 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 39 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 113 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 64 ns
Serie: FDB0250N807L
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 79 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 45 ns
Gewicht pro Stück: 1,600 g
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FDB0250N807L n-Kanal MOSFET

Der onsemi FDB0250N807L n-Kanal-MOSFET nutzt das fortschrittliche PowerTrench®-Verfahren zur Reduzierung des Einschaltwiderstands. Dieses Verfahren bietet eine überlegene Robustheit und Schaltleistung für industrielle Applikationen. Die Merkmale umfassen schnelle Schaltgeschwindigkeit, niedrige Gatter-Ladung sowie hohe Leistungs- und Stromverarbeitungskapazität. Der FDB0250N807L MOSFET wird bei industriellen Motorenantrieben, Netzteilen, batteriebetriebenen Werkzeugen, Lastschaltern, USV und Energie-Wechselrichtern eingesetzt.