CSD25310Q2 20V p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V p-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET ist ein 20V-p-Kanal-MOSFET mit 19,9 mΩ, der entwickelt wurde, um den niedrigsten On-Widerstand und Gate-Ladung zu liefern. Dies geschieht im kleinst möglichen Profil mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften. Der niedrige On-Widerstand des CSD25310Q2 in Verbindung mit einem extrem kleinen Platzbedarf in einem 2 mm x 2 mm kleinen SON-Kunststoffgehäuse machen das Bauelement ideal für batteriebetriebene, platzbeschränkte Operationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
Datenblatt
14 268Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 23.9 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2
Datenblatt
17 112Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 250

Si SMD/SMT WSON-6 P-Channel 1 Channel 20 V 20 A 19.9 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel