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IPP016N08NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP016N08NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP016N08NF2SAKM
Price: 3.99 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPP016N08NF2SAKM

Herst.- Nr.:

IPP016N08NF2SAKMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Datenblatt:

IPP016N08NF2SAKMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	196 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.8 V
Qg - Gate-Ladung:	170 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	300 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPP016N08NF2S SP005548844

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFETs für Universal-Applikationen

Infineon Technologies MOSFETs für Universal-Applikationen bieten einfache und preisgünstige Lösungen mit einer großen Verfügbarkeit und einer bewährten Qualität. Dieses Portfolio deckt Spannungsklassen von bis zu 100 V ab. Dazu gehören Einzel- und Dual-n-Kanal-MOSFETs und Produkte für eine kleinere Strombelastbarkeit (Einzel- und Dual-n- und p-Kanal-MOSFETs). Die ausgewählten Bauteile sind in einer großen Auswahl von Gehäusen verfügbar, einschließlich SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6 und TO220.Diese Produkte sind für eine große Auswahl von Universal-Applikationen, wie z. B. Adapter, Ladegeräte, batteriebetriebene Applikationen, Motorsteuerung und -antriebe, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter, Computer und mobile Applikationen ausgelegt.

StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs

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