VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter

Vishay Halbleiter VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter sind hochleistungsfähige Siliciumcarbid-(SiC)-MOSFETs. Die hohe Sperrspannung, der niedrige Durchlasswiderstand, die hohe Schaltgeschwindigkeit und die geringe Kapazität machen diese MOSFETs von Vishay Semiconductor ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, einschließlich Solarwechselrichter und EV-Ladegeräte.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Vishay Semiconductors MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
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SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W
Vishay Semiconductors MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
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Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W
Vishay Semiconductors MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
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SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W
Vishay Semiconductors MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
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SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 43 mOhms - 4 V, 15 V 2.4 V - 55 C + 175 C 136 W
Vishay Semiconductors MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
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160Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 47 mOhms - 4 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 238 W