PMZB350UPE,315

Nexperia
771-PMZB350UPE315
PMZB350UPE,315

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1006-3
P-Channel
2 Channel
20 V
1.4 A
940 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.3 nC
- 55 C
+ 150 C
715 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Transistors
Artikel # Aliases: 934066841315
Gewicht pro Stück: 0,690 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMZB350UPE 20V P-Kanal-Trench-MOSFET

Der NXP PMZB350UPE 20V P-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen DFN1006B-3 (SOT883B) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Das Bauteil arbeitet mit Trench-MOSFET-Technologie, hat eine niedrige Schwellspannung, ermöglicht sehr schnelles Schalten und bietet 1.8kV ESD-Schutz. Der PMZB350UPE MOSFET eignet sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Schaltkreise.
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