Vishay Siliconix 500-650V E-Serie Hochleistungs-MOSFETs

Die Vishay Siliconix Hochleistungs-MOSFETs der E-Serie sind 500V- und 650V-Super-Junction n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit einer On-Widerstand-Reduzierung von 30% (im Vergleich mit dem MOSFETs der S-Serie). Diese Hochleistungs-MOSFETs der E-Serie verfügen über niedrigen On-Widerstand (RDS(on)), niedrige Eingangskapazität (Ciss), reduzierte kapazitive Schaltverluste, Ultra-Low-Gate-Ladung (Qg), einfache Gate-Treiberschaltung, niedrigen Gütefaktor (Figure of Merit (FOM: RDS(on) x Qg) schnelle Schaltung und sind kostengünstig. Typische Anwendungen der Vishay Siliconix Hochleistungs-MOSFETs der E-Serie umfassen Server- und Telekommunikations-Netzteile, Beleuchtung, Industrie, Batterieladegeräte, erneuerbare Energie und SMPS.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET
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1 495Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10.5 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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682Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
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3 734Auf Lager
MouseReel verfügbar
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Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET
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4 768Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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175Auf Lager
2 000erwartet ab 31.08.2026
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Mult.: 1
Max.: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET
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1 038Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
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40Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
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277Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET
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4 000erwartet ab 12.03.2027
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V
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Mult.: 800
Si

Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 600V
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
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Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 32A N-CH MOSFET
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: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel