SBR20E100CT

Diodes Incorporated
621-SBR20E100CT
SBR20E100CT

Herst.:

Beschreibung:
Schottky Dioden & Gleichrichter 20A SBR 100Vrrm 120Vrwm 180Ifsm

Datenblatt:
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:  
REACH - SVHC:
Schottky Rectifiers
Through Hole
TO-220AB-3
Dual Anode Common Cathode
Si
20 A
100 V
850 mV
250 A
100 uA
- 65 C
+ 175 C
SBR20E100
Tube
Marke: Diodes Incorporated
Produkt-Typ: Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 100 V
Gewicht pro Stück: 1,850 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
TARIC:
8541100000
CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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SBR20E100x Super-Barrieren-Gleichrichter

Die Diodes Inc. SBR20E100x Super-Barrieren-Gleichrichter liefern einen niedrigen Durchlassspannungsabfall (VF) mit ausgezeichneter niedriger ableitender Sperrstromstabilität bei hohen Temperaturen. Diese Gleichrichter bestehen aus geformtem Kunststoff in einem TO-220AB-Gehäuse mit Anschlüssen mit Mattverzinnung über einem weich geglühten Kupfer- Leiterrahmen. Die patentierte SBR-Technologie sorgt für gute Avalanche- leistung und robuste und zuverlässige Endapplikationen. Die SBR20E100x Gleichrichter sind als Gleichrichter-, Freilauf- oder Polaritätsschutzdioden für DC-DC-Wandler und AC-DC-Adapter / -Ladegeräte ausgelegt. Zu den weiteren Merkmalen gehören eine bleifreie Ausführung, ROHS-Konformität und Halogen- und Antimon-freies umweltfreundliches Gerät.
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SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.

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