STH13N120K5-2AG

STMicroelectronics
511-STH13N120K5-2AG
STH13N120K5-2AG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
12 A
690 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
44.2 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 18.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 11 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 68.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 23 ns
Gewicht pro Stück: 4 g
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STH13N120K5-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STH13N120K5-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über die MDmesh K5-Technologie, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Dies führt zu einer drastischen Reduzierung des Einschaltwiderstands und eine ultra-niedrige Gate-Ladung für Applikationen, die eine hervorragende Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Das Bauteil ist AEC-Q101-qualifiziert und Zener-geschützt.