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RDGD31603PHSEVM

Name: NXP RDGD31603PHSEVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-RDGD31603PHSEVM
Price: 686.07 EUR
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

771-RDGD31603PHSEVM

Herst.- Nr.:

RDGD31603PHSEVM

Herst.:

NXP Semiconductors

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung RDGD31603PHSEVM

Datenblatt:

RDGD31603PHSEVM Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	NXP
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:	N
Produkt:	Reference Design Boards
Typ:	Inverter
Eingangsspannung:	12 V
Tool für die Evaluierung von:	GD3160
Marke:	NXP Semiconductors
Schnittstellen-Typ:	SPI
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools
Artikel # Aliases:	935427963598

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Datenblatt

RDGD31603PHSEVM Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8473302000
USHTS:: 8473301180
ECCN:: EAR99

RDGD31603PHSEVM VE-Trac™-Drive-Referenzdesign

Das NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive-Referenzdesign demonstriert eine Dreiphasen-Wechselrichterschaltung, die auf sechs GD3160 Gate-Treibern basiert. Der GD3160 ist ein fortschrittlicher isolierter Einkanal-Hochspannungs-Gate-Treiber mit erweiterten Funktionen für die Ansteuerung und den Schutz von Siliziumkarbid-MOSFETs oder IGBTs und funktionaler Sicherheit. Der RDGD3160I3PH5EVB unterstützt die SPI-Verkettungskommunikation zur Programmierung und Kommunikation mit drei High-Side-Gate-Treibern und drei Low-Side-Gate-Treibern unabhängig voneinander. Das Referenzdesign umfasst das Fehlermanagement und alle unterstützenden Schaltungen. Weitere unterstützende Funktionen auf dem Board sind die Erkennung von Entsättigungskurzschlüssen, die IGBT-/SiC-Temperaturerfassung, die Überwachung der DC-Link-Busspannung, die Erkennung des Phasenstroms sowie die Schaltung zur Ansteuerung des Koordinatenwandlers und zur Signalverarbeitung.