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NTBLS1D5N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D5N10MCTXG
Price: 6.47 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBLS1D5N10MCTXG

Herst.- Nr.:

NTBLS1D5N10MCTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

Datenblatt:

NTBLS1D5N10MCTXG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 4,88	€ 48,80
	€ 3,81	€ 381,00
	€ 3,40	€ 3.400,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 3,39	€ 6.780,00
4 000	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	312 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	131 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	322 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	90 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	230 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	71 ns
Serie:	NTBLS1D5N10MC
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	83 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	39 ns

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Datenblatt

NTBLS1D5N10MCTXG Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBLS1D5N10MC Einkanal n-Typ MOSFET

Der Einzel-N-Kanal-MOSFET NTBLS1D5N10MC von onsemi verfügt über einen niedrigen R_{DS (on)}, der ein effizientes Leistungsmanagement gewährleistet. Der NTBLS1D5N10MC von onsemi verfügt über einen niedrigen Q_G und eine geringe Kapazität, damit das Betriebsverhalten durch Reduzierung der Lade-/Entladezeiten verbessert wird. Dieser MOSFET reduziert Schaltgeräusche und elektromagnetische Störungen (EMI) erheblich und trägt zu einer saubereren Signalumgebung bei.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.