SUD70090E-GE3

Vishay Semiconductors
78-SUD70090E-GE3
SUD70090E-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
50 A
8.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
ThunderFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 45 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 27 ns
Serie: SUD
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

SUD70090E N-Kanal-MOSFET

Der SUD70090E N-Kanal-MOSFET von Vishay ist ein 100 V ThunderFET® mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C. Der SUD70090E verfügt über ein QGD/QGS-Verhältnis von weniger als 1 für eine optimierte Schaltung. Dieser MOSFET ist ideal für den Einsatz in DC/DC-Wandlern, Elektrowerkzeugen und Motorantrieben.
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Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten. 

ThunderFET® Leistungs-MOSFETs

Die ThunderFET® Leistungs-MOSFETs von Vishay Siliconix bieten den branchenweit niedrigsten On-Widerstand unter den 100-V-MOSFETs in der 4,5V-Klasse. Zusätzlich zum On-Widerstand und der Gate-Ladung ist die wichtige Gütezahl (Figure of Merit - FOM) für MOSFETs in DC-DC-Wandlern ebenfalls die Beste. Durch den niedrigen On-Widerstand bieten sie Designern niedrigere Leitungsverluste und einen geringeren Stromverbrauch für energiesparende, umweltfreundliche Lösungen. Diese Bausteine sind für primäre Taktung und sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC/DC-Stromversorgungs-Designs für den Einsatz in Telekommunikations-Brick- und Bus-Wandlern optimiert. Die 4,5-V-Klassifizierung für den On-Widerstand des MOSFETs erlaubt es, eine große Auswahl an PWM- und Gatetreiber-ICs zu berücksichtigen.
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40 V TrenchFET Gen IV und 100 V ThunderFET

Vishay 40V TrenchFET Gen IV und 100V ThunderFET Leistungs-MOSFETs bieten einen branchenführenden niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gesamt-Gateladung. Der niedrige On-Widerstand führt zu niedrigeren Leitungsverlusten und verringertem Stromverbrauch für eine energiesparende, umweltfreundliche Lösung, ein Vorteil für Entwickler. Zu den verfügbaren Gehäusen gehören das TO-220- und TO-252-Gehäuse sowie eine platzsparende, kleinformatige Powerpak®-Option. Diese Geräte sind vollumfänglich Rg- und UIS-getestet, halogenfrei und RoHS-konform.
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