S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices are 2.7V to 3.6V or 1.65V to 3.6V VIO Volt Non-volatile Memory. The S25FLxS FL-S NOR Flash Memory Devices use 65nm MIRRORBIT™ technology. Featuring the Eclipse™ architecture with a Page Programming Buffer, 256Mb S25FLxS FL-S NOR allows users to program up to 256-words. This results in more effective programming and erasing than prior generation SPI programs or erased algorithms. The devices connect to a host system via an SPI and support traditional SPI single bit serial input and output.

Ergebnisse: 317
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Max. aktiver Lesestrom
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Datenbus-Weite
Timing-Typ
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 705
Mult.: 705

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tube
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-Narrow-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR-Flash Ser NOR-Flash Memory 20
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 128Mb 3V 133MHz Serial NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

SMD/SMT BGA-24 S25FL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 128Mb 3V 133MHz Serial NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 256Mb 3V 133MHz Serial NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 338
Mult.: 338

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 256Mb 3V 133MHz Serial NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR-Flash 256Mb 3V 133MHz Serial NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S25FL128SDPBHIC13
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-24 S25FL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S25FL128SDPBHID10
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 676
Mult.: 676

SMD/SMT BGA-24 S25FL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 66 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S25FL256SDSMFA000
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S25FL128SAGBHB200
Infineon Technologies NOR-Flash STD SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

SMD/SMT BGA-24 S25FL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 133 MHz 16 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S25FL128SDSMFBG13
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL128S Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG10
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

SMD/SMT S25FL256S 256 Mbit 2.7 V 3.6 V 100 mA SPI 80 MHz 32 M x 8 8 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG13
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 450
Mult.: 1 450
Rolle: 1 450

S25FL256S Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel