X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ sind Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreichungsmodus. Diese MOSFETs verfügen über eine geringe RDS(ON), eine niedrige Gate-Ladung (QG) und eine hohe Leistungsdichte. Die 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPERFET™ der X3-Klasse von IXYS entfernen während des Hochgeschwindigkeitsschaltens Restenergien zur Vermeidung von Bauteilausfällen.Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Netzteile, Robotik, Servosteuerungen und Ladegeräte für Elektro-Leichtfahrzeuge.

Arten von diskreten Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO268 200V 140A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs TO268 200V 180A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS IXFT54N65X3HV
IXYS MOSFETs TO268 650V 54A N-CH X3CLASS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si
IXYS IXFT70N65X3HV
IXYS MOSFETs TO268 650V 70A N-CH X3CLASS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si