X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™

IXYS X3-Klasse 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPerFET™ sind Avalanche-fähige schnelle intrinsische Dioden mit n-Kanal-Anreichungsmodus. Diese MOSFETs verfügen über eine geringe RDS(ON), eine niedrige Gate-Ladung (QG) und eine hohe Leistungsdichte. Die 200-V- bis 300-V-Leistungs-MOSFETs mit HiPERFET™ der X3-Klasse von IXYS entfernen während des Hochgeschwindigkeitsschaltens Restenergien zur Vermeidung von Bauteilausfällen.Zu den typischen Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Netzteile, Robotik, Servosteuerungen und Ladegeräte für Elektro-Leichtfahrzeuge.

Arten von diskreten Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
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Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFETs TO268 200V 220A N-CH X3CLASS
Datenblatt
78Auf Lager
360erwartet ab 29.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs TO264 200V 220A N-CH X3CLASS
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs TO220 200V 90A N-CH X3CLASS
Datenblatt
35Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO263 250V 80A N-CH X3CLASS
Datenblatt
763erwartet ab 08.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
MOSFETs Si
IXYS MOSFETs TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
Datenblatt
191erwartet ab 08.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
Datenblatt
350erwartet ab 01.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
Datenblatt
450erwartet ab 11.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFETs TO263 250V 44A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module MBLOC 250V 240A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs TO220 250V 30A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 200V 36A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 250V 44A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFETs TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3