CoolGaN™ 2. Gen. 650-V-Leistungstransistoren

Die 650V-Leistungstransistoren CoolGaN ™ der 2. Generation von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente GaN-Transistortechnologie (Galliumnitrid) für die Leistungsumwandlung in einem Spannungsbereich von bis zu 650 V. Die GaN-Technologie von Infineon bringt das E-Mode-Konzept mit hohen Stückzahlen in der End-to-End-Produktion zur Marktreife. Diese bahnbrechende Qualität gewährleistet höchste Standards und bietet das zuverlässigste Betriebsverhalten. Die Leistungstransistoren CoolGaN™ der 2. Generation mit 650 V verbessern im Enhancement-Modus den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte durch ultraschnelles Schalten.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
4 684Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
4 892Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
4 928Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
302Auf Lager
1 800erwartet ab 19.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
1 465Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
1 242Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
1 674Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
415Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
761Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
1 388Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
730Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
3 635Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement