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RQ3P300BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3P300BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3P300BHTB1
Price: 2.56 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ3P300BHTB1

Herst.- Nr.:

RQ3P300BHTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

Datenblatt:

RQ3P300BHTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,56	€ 2,56
	€ 1,76	€ 17,60
	€ 1,22	€ 122,00
	€ 1,03	€ 515,00
	€ 0,972	€ 972,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,875	€ 2 625,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	ROHM Semiconductor
Kanalmodus:	Enhancement
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	8 S
Id - Drain-Gleichstrom:	39 A
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Pd - Verlustleistung:	32 W
Produkt-Typ:	MOSFETs
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15.5 mOhms
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Transistorpolung:	N-Channel
Transistorart:	Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Artikel # Aliases:	RQ3P300BH

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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