AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTs

Die isolierten n-Einkanal-1.200-V-25-A-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) AFGHxL25T von onsemi zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus. Der AFGHxL25T von onsemi bietet eine hervorragende Leistung in anspruchsvollen Schaltapplikationen. Die niedrige Durchlassspannung und minimale Schaltverluste bieten eine optimale Leistung für hart- und weichschaltende Topologien in Fahrzeuganwendungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
Datenblatt
444Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RW Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L
Datenblatt
445Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RWD Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 3L
Datenblatt
418Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RW Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L
Datenblatt
278Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RWD Tube