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TGF3015-SM

Name: Qorvo TGF3015-SM
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF3015-SM
Price: 93.04 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-TGF3015-SM

Herst.- Nr.:

TGF3015-SM

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

Datenblatt:

TGF3015-SM Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-EP-16
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	32 V
Id - Drain-Gleichstrom:	557 mA
Pd - Verlustleistung:	15.3 W
Marke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	TGF3015-SM-EVB1
Verstärkung:	17.1 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	3 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	30 MHz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	11 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	TGF3015
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 2.7 V
Artikel # Aliases:	TGF3015 1120419
Gewicht pro Stück:	6,745 g

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Datenblatt

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

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