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MMBT4401-13-F

Name: Diodes Incorporated MMBT4401-13-F
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MMBT4401-13-F
Price: 0.11 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-MMBT4401-13-F

Herst.- Nr.:

MMBT4401-13-F

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Datenblatt:

MMBT4401-13-F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,112	€ 0,11
	€ 0,07	€ 0,70
	€ 0,044	€ 4,40
	€ 0,032	€ 16,00
	€ 0,024	€ 24,00
	€ 0,021	€ 105,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	€ 0,012	€ 120,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

MMBT4401-7-F

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 0,11

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	600 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	60 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	750 mV
Pd - Verlustleistung:	310 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	250 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	20 at 100 uA, 1 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	300 at 150 mA, 1 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

MMBT4401-13-F Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MMBT4401 Bipolartransistor

Der Diodes Inc. MMBT4401 Bipolartransistor (BJT) mit epitaxialer planarer Düsenkonstruktion ist ein 40V-NPN-Kleinsignaltransistor. Der MMBT4401 ist nach AEC-Q101-Standards für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert und im SOT23-Gehäuse erhältlich. Dieser Transistor ist aus geformtem umweltfreundlichem Kunststoff hergestellt und entspricht der Entflammbarkeitsklasse UL94V-0. Der MMBT4401 verfügt über einen weiten Speicher- und Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C. Dieser BJT ist RoHS-konform. Der MMBT4401 Transistor ist ideal für Verstärker und Verstärker mit mittlerer Leistung.
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