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NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 4.4 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS7D5N15MC

Herst.- Nr.:

NTMFS7D5N15MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 95.6A, 7.9mohm

Datenblatt:

NTMFS7D5N15MC Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 2,18	€ 218,00
	€ 2,09	€ 1 045,00
	€ 2,03	€ 2 030,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,77	€ 5 310,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	95.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	166.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	91 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	NTMFS7D5N15MC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns

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Datenblatt

NTMFS7D5N15MC Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Abgeschirmte Gate-PowerTrench®-MOSFETs

Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi sind N-Kanal-MOSFETs, die Einschaltwiderstand minimieren und eine überragende Schaltleistung mit der erstklassigen Soft-Body-Diode bieten. Dieser MOSFET bietet im Vergleich zu anderen MOSFETs eine niedrigere Q_rr. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench®-MOSFETs von Onsemi verringern Schaltgeräusche/elektromoagnetische Störung (EMI). Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, sowie über eine niedrige Q_G und Kapazität, um die Verluste im Treiber zu reduzieren. Die abgeschirmten Gate-PowerTrench-MOSFETs kommen in einem kleinen PQFN8-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm für kompakte Designs. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR), AC-DC- und DC/DC-Netzteile, AC-DC-Adapter (USB Power Delivery) SR, und Lastschalter.

NTMFS7D5N15MC Abgeschirmter Gate-PowerTrench®-MOSFET

Der onsemi NTMFS7D5N15MC abgeschirmte n-Kanal-Gate-PowerTrench®-MOSFET wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Einschaltwiderstand zu reduzieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung mit einer erstklassigen Soft-Body-Diode beizubehalten. Der NTMFS7D5N15MC von onsemi senkt das Schaltrauschen, die EMI, die Kapazität (zur Reduzierung der Treiberverluste) und einen R_DS(on) (zur Reduzierung der Leitungsverluste).

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.