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IPA95R750P7XKSA1

Name: Infineon IPA95R750P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA95R750P7XKSA1
Price: 2.62 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPA95R750P7XKSA1

Herst.- Nr.:

IPA95R750P7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs LOW POWER_NEW

Datenblatt:

IPA95R750P7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	950 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	750 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	28 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	P7
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	IPA95R750P7 SP001792304
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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Application Notes

MOSFET CoolMOS P7 950V (PDF)

Product Catalogs

Technical Resources

MOSFET 950V CoolMOS P7 (PDF)

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Deutschland
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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