IPA95R750P7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPA95R750P7XKSA1
IPA95R750P7XKSA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs LOW POWER_NEW

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
9 A
750 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: P7
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Artikel # Aliases: IPA95R750P7 SP001792304
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ Superjunction-MOSFETs

CoolMOS™ -Leistungstransistoren von Infineon bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs. In Kombination mit der Generation CoolMOS 7 setzt Infineon weiterhin Preis-, Leistungs- und Qualitätsmaßstäbe.

CoolMOS™ P7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs bieten ein erstklassiges Preis-/Leistungsverhältnis mit benutzerfreundlicher Handhabung zur Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Applikationen. Die CoolMOS 700V- und 800V-P7-Leistungs-MOSFETs wurden für Flyback-basierte, stromsparende SNT-Applikationen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Beleuchtung, Audio-SNT, AUX und Industrieleistung ausgelegt. Die 600 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs zielen nicht nur auf stromsparende, sondern auch auf Hochleistungs-SNT-Applikationen wie z. B. Solar-Wechselrichter, Server und ferngesteuerte EV-Ladestationen ab. Die P7 sind für harte und weiche Schalttopologien vollständig optimiert.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.

USB-C-Ladegeräte und -Adapter

Infineon Technologies bietet maßgeschneiderte Halbleiter, welche die Prioritäten der Kunden berücksichtigen — Preis/Leistung vs. (extrem) hohe Leistungsdichte. Das Portfolio umfasst die gesamte USB-C™ -Quellen-Produktkette, die von HV-/LV-Leistungsschaltern bis zu PWM-Controllern, USB-C-Controllern für die Stromversorgung sowie ESD-Schutzbauteilen reicht.