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NVHL060N065SC1

Name: onsemi NVHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL060N065SC1
Price: 14.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVHL060N065SC1

Herst.- Nr.:

NVHL060N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Datenblatt:

NVHL060N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	47 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	44 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	74 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	176 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	NVHL060N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

NVHL060N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

NVHL060N065SC1 EliteSiC-MOSFET

Der onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC-MOSFET ist ein n-Einkanal-MOSFET von 650 V, 60 mΩ (typisch) und 47 A, der mit einem kompakten und effizienten Design für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit ausgestattet ist. Dieser MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der niedrige On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Der NVHL060N065SC1 Leistungs-MOSFET bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Dieser MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-On-Board-Ladegeräte und Automotive-DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge (EV).