MRF1K50HR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50HR5
MRF1K50HR5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

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NXP
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: NXP Semiconductors
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 33.5 S
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Pd - Verlustleistung: 1.667 kW
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Serie: MRF1K50H
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung: + 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.2 V
Artikel # Aliases: 935313284178
Gewicht pro Stück: 0,001 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRF1K50H 1500W HF-Leistungstransistor

Der NXP MRF1K50H 1500W HF-Leistungstransistor kombiniert die höchste HF-Ausgangsleistung mit überlegener Robustheit und thermischer Leistung. Der Transistor ist zur Lieferung von 1,50kW CW bei 50V konzipiert und reduziert die Anzahl der Transistoren in Hochleistungs-HF-Verstärkern. Der MRF1K50H verfügt über ein unerreichtes Ein- und Ausgangsdesign und ermöglicht einen breiten Frequenzbereich von 1,8 bis 500 MHz. Zu den typischen Applikationen gehören Laser- und Plasmaquellen von Teilchenbeschleunigern, industrielle Schweißgeräte, Radio und VHF-TV-Rundfunksender sowie lineare Amateurfunk-Verstärker.
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