CoolMOS™ P7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs bieten ein erstklassiges Preis-/Leistungsverhältnis mit benutzerfreundlicher Handhabung zur Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Applikationen. Die CoolMOS 700V- und 800V-P7-Leistungs-MOSFETs wurden für Flyback-basierte, stromsparende SNT-Applikationen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Beleuchtung, Audio-SNT, AUX und Industrieleistung ausgelegt. Die 600 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs zielen nicht nur auf stromsparende, sondern auch auf Hochleistungs-SNT-Applikationen wie z. B. Solar-Wechselrichter, Server und ferngesteuerte EV-Ladestationen ab. Die P7 sind für harte und weiche Schalttopologien vollständig optimiert.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDFN-8 N-Channel 1 Channel 800 V Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Datenblatt
Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT TDFN-8 N-Channel 1 Channel 800 V Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel