Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SI7252ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7252ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7252ADP-T1-GE3
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI7252ADP-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI7252ADP-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V 28.7A

Datenblatt:

SI7252ADP-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay / Siliconix SI7252ADP-T1-GE3

Auf Lager: 3 000

Lagerbestand:: 3 000

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 9 000

erwartet ab 02.03.2026

21 000

Noch festzulegen
Lieferzeit ab Hersteller:: 13

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,04	€ 2,04
	€ 1,32	€ 13,20
	€ 0,894	€ 89,40
	€ 0,714	€ 357,00
	€ 0,661	€ 661,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,629	€ 1 887,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	17.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	33.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	22 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	506,600 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SI7252ADP-T1-GE3 Datenblatt

Technical Resources

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si7252ADP 100-V-n-Zweikanal-(D-S)-MOSFET

Der Si7252ADP 100-V-n-Zweikanal-MOSFET (D-S) von Vishay/Siliconix bietet eine optimierte PWM, die für Systemleistungs-DC/DC-Applikationen ausgelegt ist. Der Si7252ADP ist zu 100 % R_g - und UIS-getestet. Der Si7252ADP 100-V-n-Zweikanal-MOSFET (D-S) von Vishay/Siliconix ist in einem PowerPAK^® SO-8-Dual-Gehäuse erhältlich.

Si72 MOSFETs

Vishay Si72 MOSFETs verfügen über die TrenchFET ® Leistungs-MOSFET-Technologie für eine verbesserte Leistungsfähigkeit. Die Si72 MOSFETs von Vishay sind in einem thermisch verbesserten PowerPAK® -Gehäuse untergebracht. Die Bauteile gewährleisten eine effiziente Wärmeableitung, sind PWM-optimiert und bieten eine präzise Steuerung für verschiedene Applikationen. Mit 100 % Rg- und UIS-Testen wird die Zuverlässigkeit der Bauteile gründlich validiert.