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LMG3614REQR

Name: Texas Instruments LMG3614REQR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3614REQR
Price: 7.09 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3614REQR

Herst.- Nr.:

LMG3614REQR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG3614REQR Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 7,09	€ 7,09
	€ 4,95	€ 49,50
	€ 4,72	€ 118,00
	€ 4,10	€ 410,00
	€ 3,91	€ 977,50
	€ 3,57	€ 1 785,00
	€ 3,48	€ 3 480,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 2,96	€ 5 920,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	GaN FETs
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-38
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	26 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Abfallzeit:	22 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	LMG3624EVM-081
Eingangsspannung – Max:	26 V
Eingangsspannung – Min:	10 V
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	32 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	86 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	6 A
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	170 mOhms
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Datenblatt

LMG3614REQR Datenblatt

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3614 650 V GaN-Leistungs-FET mit 170 mΩ

Der 650 V GaN-Leistungs-FET mit 170 mΩ LMG3614 von Texas Instruments mit 170 mΩ ist für Schaltnetzteilanwendungen ausgelegt. Der LMG3614 reduziert die Anzahl der Komponenten und vereinfacht das Design durch die Integration des GaN-FET und des Gate-Treibers in einem QFN-Gehäuse von 8 mm x 5,3 mm. Programmierbare Einschalt-Anstiegsraten bieten eine EMI- und Überschwingungssteuerung.