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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT350R70GTK

Herst.- Nr.:

SGT350R70GTK

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Datenblatt:

SGT350R70GTK Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 2,24	€ 2,24
	€ 1,44	€ 14,40
	€ 1,03	€ 103,00
	€ 0,869	€ 434,50
	€ 0,82	€ 820,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,702	€ 1 755,00
	€ 0,697	€ 3 485,00
	€ 0,68	€ 6 800,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	47 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.1 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	3.5 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	1.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	0.9 ns
Gewicht pro Stück:	300 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

Der STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor ist ein leistungsstarker PowerGaN-Anreicherungs-Transistor, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V und einem maximalen Einschaltwiderstand von 350 mΩ bietet der STMicroelectronics SGT350R70GTK aufgrund der Galliumnitrid(GaN)-Technologie geringe Leitungsverluste und schnelle Schaltfunktionen. Das in einem thermisch optimierten DPAK-Format untergebrachte Bauteil unterstützt eine hohe Strombelastbarkeit und eine verbesserte Wärmeableitung, geeignet für Designs mit hoher Leistungsdichte. Ein niedriger GATE-Ladung und Ausgangskapazität ermöglichen einen Hochfrequenzbetrieb, ideal für den Einsatz in Blindleistungskompensation (PFC), resonanten Wandlern und anderen fortschrittlichen Stromversorgungstopologien in den Bereichen Industrie, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik