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TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFETs mit VDS
Die TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFETs von Vishay / Siliconix erhöhen den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung mit einer sehr niedrigen RDS x Qg -Gütezahl (FOM). Die Gen-V-Leistungs-MOSFETs verfügen über Drain-Source-Durchschlagspannungsoptionen von 80 V, 100 V und 150 V. Die Gen-V-Leistungs-MOSFETs sind in einem PowerPAK® -1212-8SH- oder PowerPAK-SO-8-Einzelgehäuse verfügbar.
