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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
onsemi IGBTs 600 V 80 A 79 W
Datenblatt
575Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 600V 20A FSP IGBT
Datenblatt
1 552Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 40 A 208 W - 55 C + 150 C FGB20N60S_F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
Datenblatt
10 389Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 150 C FGH40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
Datenblatt
983Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGH40N60SM_F085 AEC-Q101 Tube
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop
Datenblatt
1 049Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60SFD Tube
onsemi IGBTs 600V 40A Field Stop
Datenblatt
741Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 290 W - 55 C + 150 C FGH40N60UFD Tube

onsemi IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
Datenblatt
8 550erwartet ab 17.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGH60N60SMD Tube