Low-Side-GATE-Treiber-ICs

IXYS Integrated Circuits bietet ein umfangreiches Portfolio an Low-Side-MOSFET- und IGBT-GATE-Treiber-ICs (Isolierter Gate-Bipolartransistor). Diese Treiber bieten Ausgangsströme von 1,5 A bis 30 A und Spannungen bis zu 40 V und sind in DIP-, SO-IC-, DFN-, TO-220- und TO-263-Gehäusen erhältlich. AEC-Q100-Gate-Treiber in Automobilqualität sind mit 4 A-, 5 A-, 9 A- und 14 A-Ausgängen erhältlich. IXYS Integrated Circuits Low-Side-Gate-Treiber sind ultraschnelle Hochstrom-MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber, die für eine Leistung mit hohem Wirkungsgrad in Motorantriebs- und Leistungsumwandlungsapplikationen optimiert sind.

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IXYS Integrated Circuits Gate-Treiber 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV 2 570Auf Lager
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IXYS Integrated Circuits Gate-Treiber 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET 2 092Auf Lager
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