SGT3D5R10MEB

STMicroelectronics
511-SGT3D5R10MEB
SGT3D5R10MEB

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
FCLGA-8
N-Channel
1 Channel
100 V
201 A
3.5 mOhms
- 4 V to + 6 V
2.1 V
6.3 nC
- 40 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3.84 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt: Transistors
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 6.08 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit: 5.12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 2.56 ns
Gewicht pro Stück: 78 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
USHTS:
8541600060
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Nicht lieferbar
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor is a 100V, 201A e-mode transistor that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. This transistor features a high switching frequency, enabling compact, high‑power‑density designs with small passives and simplified thermal management. The SGT3D5R10MEB transistor operates at 2.7mΩ typical RDS(ON) drain resistance and -40°C to +150°C operating junction temperature range. This PowerGaN Transistor is ideal for DC-DC converters, motor drivers, and solar system MPPT.

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€ 2,09 € 20,90
€ 1,52 € 152,00
€ 1,27 € 635,00
€ 1,18 € 1.180,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 1,10 € 3.300,00
€ 1,01 € 6.060,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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