LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs are ideal for ultra-low-noise audio/acoustic applications. With an -55°C to +150°C operating junction temperature range, the LSK189 JFETs feature 1.8nV/√Hz typical noise, a low 4pF typical input capacitance, and 300mW maximum continuous power dissipation. The LSK189 single N-channel JFETs are available in RoHS-compliant TO-92 or SOT-23 packages.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Abschaltungsspannung Gate-Source
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Datenblatt
241Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Datenblatt
66Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel