CoolSiC™ Automotive-1.700-V-MOSFETs

CoolSiC™ Automotive-1.700-V-MOSFETs von Infineon Technologies ermöglichen Flyback-Topologien für Hilfsstromversorgungen und DC/DC-Wandler. Diese Bauteile haben einen kontinuierlichen DC-Drainstrom (IDDC) für Rth(j-c,max) zwischen 7,4 A und 15 A bei 25 °C sowie zwischen 5,6 A und 10,5 A bei 100 °C. Die SiC-Trench-MOSFET-Technologie von Infineon Technologies bietet eine Gate-Source-Spannungsansteuerung von 0 V/20 V und ist mit den meisten Flyback-Controllern für Fahrzeuganwendungen kompatibel.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Datenblatt
525Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Datenblatt
750Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
Datenblatt
750Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement