RN-Automotive-Vorspannungswiderstand für ingebaute Transistoren

RN-Automotive-Vorspannungswiderstände mit eingebauten Transistoren (BRT) von Toshiba sind AEC-Q101-qualifiziert und für Schalt-, Wechselrichter-, Schnittstellen- und Treiberschaltungsautomotive optimiert. Der Vorspannungswiderstand ist integriert, wodurch die Anzahl der erforderlichen externen Teile reduziert und die Systemgröße und Bestückungszeit reduziert werden. Die RN-Automotive-Vorspannungswiderstände (BRTs) von Toshiba bieten einen breiten Widerstandsbereich zur Anpassung an verschiedene Schaltungsdesigns.

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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR PNPx2 Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=4.7kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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7 900Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR PNP+NPN Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=4.7kOhm Q2BSR=Q2BER=4.7kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
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7 265Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
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7 880Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A SOT563
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3 799Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
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7 940Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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8 000Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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7 444Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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743Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=47kOhm Q1BER=22kOhm Q2BSR=47kOhm Q2BER=22kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT563)
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3 896Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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6 500Auf Lager
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
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6 473Auf Lager
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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3 397Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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13Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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32 000erwartet ab 09.10.2026
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5 992Auf Bestellung
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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2 990erwartet ab 26.06.2026
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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Nicht auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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Nicht auf Lager
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