RN-Automotive-Vorspannungswiderstand für ingebaute Transistoren

RN-Automotive-Vorspannungswiderstände mit eingebauten Transistoren (BRT) von Toshiba sind AEC-Q101-qualifiziert und für Schalt-, Wechselrichter-, Schnittstellen- und Treiberschaltungsautomotive optimiert. Der Vorspannungswiderstand ist integriert, wodurch die Anzahl der erforderlichen externen Teile reduziert und die Systemgröße und Bestückungszeit reduziert werden. Die RN-Automotive-Vorspannungswiderstände (BRTs) von Toshiba bieten einen breiten Widerstandsbereich zur Anpassung an verschiedene Schaltungsdesigns.

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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5 779Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 8 229Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 7 177Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2 880Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5 850Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7 483Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 8 330Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7 007Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM) 2 874Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5 892Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM) 6 676Auf Lager
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Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3 830Auf Lager
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Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8 830Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6 250Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 658Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 2 420Auf Lager
6 000erwartet ab 18.05.2026
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 962Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1 254Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4 629Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 6 000Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7 757Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 8 000Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4 740Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 2 145Auf Lager
8 000erwartet ab 24.04.2026
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