RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden

 Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden von ROHM Semiconductor sind für den Einsatz in Schaltnetzteilen konzipiert und verfügen über einen Durchlassstoßstrom von 100 A. Diese Dioden sind hochzuverlässig, bieten eine niedrige Durchlassspannung und einen durchschnittlich gleichgerichteten Durchlassstrom von 40 A. Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden sind in drei Varianten mit den wiederkehrenden Spitzensperrspannungen 30 V, 40 V und 60 V erhältlich. Diese Dioden sind in einer Silizium-Epitaxie-Planar-Bauweise ausgeführt und werden in einem TO-263AB Gehäuse (D2PAK) geliefert. Die RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden sind RoHs-konform und arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
Technologie
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Datenblatt
945Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter RECT 40V 40A SM SKY BARRI
Datenblatt
780Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000
Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 40 V 550 mV 100 A 430 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 40A, TO-263S (D2PAK)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 60 V 600 mV 100 A 800 uA + 150 C Reel, Cut Tape