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SQ4946CEY-T1_GE3

Name: Vishay SQ4946CEY-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQ4946CEY-T1_GE3
Price: 1.32 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQ4946CEY-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQ4946CEY-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

Datenblatt:

SQ4946CEY-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,32	€ 1,32
	€ 0,831	€ 8,31
	€ 0,554	€ 55,40
	€ 0,434	€ 217,00
	€ 0,396	€ 396,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,354	€ 885,00
	€ 0,333	€ 1 665,00
	€ 0,324	€ 8 100,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	82.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	14.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	15 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	SQ
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQ Automotive-Leistungs-MOSFETs

Die SQ Automotive-Leistungs-MOSFETs von Vishay / Siliconix sind AEC-Q101-qualifizierte Leistungs-MOSFETs, die mit einem speziellen Prozessdesign hergestellt werden, das für die Verwendung in der Automotive-Industrie optimiert ist. Diese SQ MOSFETs zeichnen sich durch N- und P-Kanal-TrenchFET® Technologien mit niedrigem ON-Widerstand und einem niedrigen thermischen Widerstand aus. Die SQ MOSFETs sind in verschiedenen Gehäusen für Designflexibilität verfügbar. Zu den Gehäusen gehören TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK und PowerPAK 1212-8W sowie mehrere platzsparende, kleine Optionen. Ebenfalls erhältlich sind zahlreiche Polaritätsoptionen, einschließlich N-Kanal- und P-Kanal-Gehäuse. Die SQ Automotive-Leistungs-MOSFETs von Vishay / Siliconix werden in einer großen Auswahl von Polaritätsoptionen, einschließlich N-Kanal- und P-Kanal-Gehäuse, angeboten.

48-V-DC/DC-Wandler

Vishay 48-V-DC/DC-Wandler werden in den Produkten verwendet, die eine Batterielast von 12 V beibehalten müssen, während die 48-V-Batterie in den Fahrzeugen verwendet wird. Diese Wandler können eine Spannung von 48 V bis 12 V erzeugen, so dass der Wandler eine wichtige Applikation für künftige Fahrzeuge darstellt. Mit diesen Bauteilen sind verschiedene Topologien möglich, wie zum Beispiel mehrphasige gekoppelte und ungekoppelte Induktivitäten. Vishay bietet ein breites Portfolio an Lösungen mit Standardbauteilen wie MOSFETs, Dioden, Widerständen, Kondensatoren, Induktivitäten und kundenspezifischen magnetischen Lösungen.

SQ4946CEY n-Zweikanal-Automotive-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SQ4946CEY n-Zweikanal-Automotive-MOSFET bietet eine Drain-Quellenspannung von 60 V_DS, einen Gate-Quellen-Ableitstrom von ±100 nA und eine maximale Eingangskapazität von 865 pF. Dieser MOSFET verfügt über eine TrenchFET®-Leistung und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen. Der SQ4946CEY n-Zweikanal-Automotive-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert, 100 % R_g- und UIS-getestet, RoHS-konform und halogenfrei.

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET^®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK^® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.