RF7x Fahrzeug-Leistungs-MOSFETs

Die Fahrzeug-Leistungs-MOSFETs der Baureihe RF7x (bestehend aus den Varianten RF7G, RF7L und RF7P) von ROHM Semiconductor sind hochleistungsfähige Siliciumcarbid-Bauteile (SiC), die für anspruchsvolle Applikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs verfügen über eine Nennspannung von 1200 V, wodurch sich die MOSFETs der Baureihe RF7x von ROHM ideal für Hochspannungsumgebungen wie Fahrzeug-Umrichter, Onboard-Ladegeräte und industrielle Stromversorgungssysteme eignen. Der Baureihe RF7G bietet ausgewogene Eigenschaften, die für allgemeine Zwecke geeignet sind, während die Baureihe RF7L für geringe Leitungsverluste optimiert ist und so den Wirkungsgrad in Dauerbetriebsszenarien wie Batteriemanagement und Energiespeicherung verbessert. Die Baureihe RF7P zeichnet sich durch eine schnelle Schaltfähigkeit aus, wodurch sie sich besonders für Applikationen mit schnellen Reaktionsanforderungen wie Telekommunikationsausrüstungen und LED-Beleuchtungen eignet. Zu den wichtigsten Eigenschaften aller Varianten zählen ein niedriger Einschaltwiderstand, schnelle Schaltleistung, hohe Zuverlässigkeit und kompakte Gehäuse, die effiziente und robuste Leistungsumwandlung sowohl im Fahrzeug- als auch im industriellen Bereich möglich machen.