Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NXH008T120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H008T120M3F2PTHG
Price: 146.53 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-H008T120M3F2PTHG

Herst.- Nr.:

NXH008T120M3F2PTHG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Datenblatt:

NXH008T120M3F2PTHG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NXH008T120M3F2PTHG

Auf Lager: 28

Lagerbestand:: 28 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 146,53	€ 146,53
	€ 136,28	€ 1 362,80
100	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	PIM-29
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	129 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	371 W
Serie:	NXH008T120M3F2PTHG
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	20.6 ns
Verpackung ab Werk:	20
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	137 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41.5 ns
Vf - Durchlassspannung:	4.8 V

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NXH008T120M3F2PTHG Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC-MOSFETs

Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).

NXH008T120M3F2PTHG Siliziumkarbid (SiC) -Modul

Das Onsemi NXH008T120M3F2PTHG Siliziumkarbid (SIC) -Modul ist ein T-Typ neutralpunktgeklemmtes Wechselrichtermodul (TNPC) basierend auf den 1200V M3S-Planer-SiC-MOSFETs. Der NXH008T120M3F2PTHG ist für schnell schaltende Applikationen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativer Gate-Spannung und Abschaltspitzen am Gate. Dieses Modul zeigt eine optimale Leistung, wenn es mit einer 20-V-Gate-Ansteuerung betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einer 18-V-Gate-Ansteuerung.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.