DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
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Frequenz
Frequenzstabilität
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Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator, Low Power 25ppm
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Mult.: 648

CDFN-4 33.333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 24.576MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
CDFN-4 24.576 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 12.7281MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
CDFN-4 20 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 12.7281MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
CDFN-4 12.7281 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 66.666MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

CDFN-4 66.666 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 66.666MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 66.666 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 13.56MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 13.56 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 24.576MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 360
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CDFN-4 24.576 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

CDFN-4 27 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 150MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
CDFN-4 150 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 40MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 40 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
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Min.: 504
Mult.: 504

CDFN-4 125 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 125 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 576
Mult.: 576
CDFN-4 1 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 6 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 1MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
CDFN-4 1 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 6 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 49.7MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 49.7 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 106.25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 288
Mult.: 288

CDFN-4 106.25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 106.25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 106.25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 14.7456 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

CDFN-4 26 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 26 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

CDFN-4 33 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 33 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 288
Mult.: 288

CDFN-4 120 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001