DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
Mehr erfahren

Ergebnisse: 2 680
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Verpackung/Gehäuse
Frequenz
Frequenzstabilität
Ladekapazität
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 650
Mult.: 25

DFN-4 24.576 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 650
Mult.: 25

DFN-4 30 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 650
Mult.: 25

DFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.4MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 3.4 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 129.6MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 500
Mult.: 25

DFN-4 129.6 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 129.6MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 129.6 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator, Low Power 25ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 12 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 29.4912MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 600
Mult.: 25

DFN-4 24.545 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 29.4912MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 29.4912 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 66.6666 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
DFN-4 50 MHz 20 PPM 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125.0063MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 550
Mult.: 25
DFN-4 125 MHz 20 PPM 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125.0063MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000
DFN-4 125 MHz 20 PPM 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 3.6864MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 350
Mult.: 25
DFN-4 3.6864 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 30MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 30 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 133.333MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 133.33 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 350
Mult.: 25

DFN-4 66 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 66 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 25 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 600
Mult.: 25

DFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSCILLATOR LOW POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 29.4912MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 550
Mult.: 25

DFN-4 29.4912 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 550
Mult.: 25

DFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 125MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 7.0 x 5.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 125 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001